FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：标准

漏源电压（Vdss）：200V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：109A（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：19 毫欧 @ 50A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 2.5mA

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：9880pF @ 25V

功率 - 最大值：480W

工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：底座安装

封装/外壳：SP3

供应商器件封装：SP3

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs