FET 类型：2 N 沟道（相角）

FET 功能：标准

漏源电压（Vdss）：1200V（1.2KV）

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：295A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：9 毫欧 @ 200A，20V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.4V @ 40mA（标准）

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：644nC @ 20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：11000pF @ 1000V

功率 - 最大值：1250W

工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：底座安装

封装/外壳：SP3

供应商器件封装：SP3

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs