数据列表:APTMC120AM16CD3AG
标准包装:1
类别:分立半导体产品
家庭:FET - 模块
系列:-
包装:散装
FET 类型:2 个 N 通道(半桥)
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):1200V(1.2kV)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):131A
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):20 毫欧 @ 100A,20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 5mA(标准)
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):246nC @ 20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4750pF @ 1000V
功率 - 最大值:625W
安装类型:底座安装
封装/外壳:D-3 模块
供应商器件封装:D3