数据列表:APTM120H29FG Power Products Catalog
标准包装:1
类别:分立半导体产品
家庭:FET - 模块
系列:POWER MOS 7®
包装:散装
FET 类型:4 个 N 通道(H 桥)
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):1200V(1.2kV)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):34A
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):348 毫欧 @ 17A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):374nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):10300pF @ 25V
功率 - 最大值:780W
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP6
供应商器件封装:SP6
其它名称:APTM120H29FGMIAPTM120H29FGMI-ND