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APTGT200SK120G /IGBT 模块 Power Module - IGBT
APTGT200SK120G的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Microchip

产品种类:IGBT 模块

RoHS:是

产品:IGBT Silicon Modules

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:1.2 kV

集电极—射极饱和电压:1.7 V

在25 C的连续集电极电流:280 A

栅极—射极漏泄电流:500 nA

Pd-功率耗散:890 W

封装 / 箱体:SP6

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 100 C

封装:Tube

商标:Microchip / Microsemi

安装风格:Chassis Mount

栅极/发射极最大电压:20 V

产品类型:IGBT Modules

工厂包装数量:1

子类别:IGBTs

单位重量:110 g

供应商APTGT200SK120G
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集好芯城APTGT200SK120G深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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深圳市辉华拓展电子有限公司APTGT200SK120G深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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深圳市新启创电子科技有限公司APTGT200SK120G深圳市福田区华强北路赛格广场45楼4501A0755-83987343
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APTGT200SK120GBuck chopper Fast Trench Field Stop IGBT Power Module MICROSEMI[Microsemi Corporation]MICROSEMI[Microsemi Corporation]的LOGO245.55 Kbytes共5页APTGT200SK120G的PDF下载地址APTGT50DSK120T3G,APTGT50SK120TG,APTGT75SK120TG,APTGT100SK120TG,APTGT150SK120G,APTGT150SK120TG,APTGT50DSK60T3G,APTGT50DA120TG,APTGT50SK170TG,APTGT200DA120G
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Arrow(艾睿)		APTGT200SK120GMICRO-SEMI10+:￥800.0450+:￥627.4699
100+:￥576.13
250+:￥589.781+:￥615.51
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Mouser 贸泽电子		APTGT200SK120GMICRO-SEMI10+:￥800.0450+:￥627.4699
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