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APTGT200DH120G /IGBT 模块 Power Module - IGBT
APTGT200DH120G的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Microchip

产品种类:IGBT 模块

RoHS:是

产品:IGBT Silicon Modules

配置:Dual

集电极—发射极最大电压 VCEO:1.2 kV

集电极—射极饱和电压:1.7 V

在25 C的连续集电极电流:280 A

栅极—射极漏泄电流:500 nA

Pd-功率耗散:890 W

封装 / 箱体:SP6

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 100 C

封装:Tube

商标:Microchip / Microsemi

安装风格:Chassis Mount

栅极/发射极最大电压:20 V

产品类型:IGBT Modules

工厂包装数量:1

子类别:IGBTs

单位重量:110 g

供应商APTGT200DH120G
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集好芯城APTGT200DH120G深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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深圳市芯幂科技有限公司APTGT200DH120G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司APTGT200DH120G深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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深圳市安富世纪电子有限公司APTGT200DH120G深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
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深圳市华芯盛世科技有限公司APTGT200DH120G深圳市福田区上步工业区201栋530室0755-23941632
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深圳市新启创电子科技有限公司APTGT200DH120G深圳市福田区华强北路赛格广场45楼4501A0755-83987343
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APTGT200DH120GAsymmetrical - Bridge Fast Trench Field Stop IGBT Power Module MICROSEMI[Microsemi Corporation]MICROSEMI[Microsemi Corporation]的LOGO250.87 Kbytes共5页APTGT200DH120G的PDF下载地址APTGT150DH120G,APTGT50DH120TG,APTGT75DH120TG,APTGT100DH120TG,APTGT150DH60TG,APTGT50H120T3G,APTGT50H120TG,APTGT150DH170G,APTGT200DH60G,APTGT75H120TG
APTGT200DH120G的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)		APTGT200DH120GMICRO-SEMI10+:￥1100.3150+:￥853.76
100+:￥821.23
250+:￥827.431+:￥877.35
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Digi-Key 得捷电子		APTGT200DH120GAmerican Microsemiconductor, Inc.IGBT - 模块 - 分立半导体产品10+:￥1100.31
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Digi-Key 得捷电子		APTGT200DH120GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 1200V 280A 890W SP6$194.05000
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Mouser 贸泽电子		APTGT200DH120GMicrosemiIGBT 模块 Power Module - IGBT100:¥1,040.2554
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Mouser 贸泽电子		APTGT200DH120GMICRO-SEMI10+:￥1100.3150+:￥853.76
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