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APTGT200H120G /IGBT 模块 Power Module - IGBT
APTGT200H120G的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Microchip

产品种类:IGBT 模块

RoHS:是

产品:IGBT Silicon Modules

配置:Full Bridge

集电极—发射极最大电压 VCEO:1.2 kV

集电极—射极饱和电压:1.7 V

在25 C的连续集电极电流:280 A

栅极—射极漏泄电流:500 nA

Pd-功率耗散:890 W

封装 / 箱体:SP6

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 100 C

封装:Tube

商标:Microchip / Microsemi

安装风格:Chassis Mount

栅极/发射极最大电压:20 V

产品类型:IGBT Modules

工厂包装数量:1

子类别:IGBTs

单位重量:110 g

供应商APTGT200H120G
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深圳市芯幂科技有限公司APTGT200H120G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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深圳市斌腾达科技有限公司APTGT200H120G深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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深圳市毅创腾电子科技有限公司APTGT200H120G深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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深圳市安富世纪电子有限公司APTGT200H120G深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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深圳市高捷半导体有限公司APTGT200H120G深圳市福田区航都大厦10层13380394549
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深圳市瑞浩芯科技有限公司APTGT200H120G深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
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APTGT200H120G及相关型号的PDF资料
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APTGT200H120GFull - Bridge Fast Trench Field Stop IGBT Power Module MICROSEMI[Microsemi Corporation]MICROSEMI[Microsemi Corporation]的LOGO251.67 Kbytes共5页APTGT200H120G的PDF下载地址APTGT35H120T3G,APTGT100H120G,APTGT50H120T3G,APTGT50H120TG,APTGT150H120G,APTGT75H120TG,APTGT30H170T3G,APTGT100H60T3G,APTGT100H60TG,APTGT50DH120TG
APTGT200H120G的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)		APTGT200H120GMICRO-SEMI10+:￥1718.4750+:￥1282.53
100+:￥1262.841+:￥1370.2
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Digi-Key 得捷电子		APTGT200H120GAmerican Microsemiconductor, Inc.IGBT - 模块 - 分立半导体产品10+:￥1718.47
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Digi-Key 得捷电子		APTGT200H120GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 1200V 280A 890W SP6$292.21250
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Mouser 贸泽电子		APTGT200H120GMICRO-SEMI10+:￥1718.4750+:￥1282.53
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