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APTGT150H170G /IGBT 模块 Power Module - IGBT
APTGT150H170G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Microchip

产品种类:IGBT 模块

RoHS:

产品:IGBT Silicon Modules

配置:Full Bridge

集电极—发射极最大电压 VCEO:1.7 kV

集电极—射极饱和电压:2 V

在25 C的连续集电极电流:250 A

栅极—射极漏泄电流:600 nA

Pd-功率耗散:890 W

封装 / 箱体:SP6

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 100 C

封装:Tube

商标:Microchip / Microsemi

安装风格:Chassis Mount

栅极/发射极最大电压:20 V

产品类型:IGBT Modules

工厂包装数量:1

子类别:IGBTs

单位重量:110 g

供应商APTGT150H170G
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APTGT150H170GFull - Bridge Trench Field Stop IGBT Power Module MICROSEMI[Microsemi Corporation]MICROSEMI[Microsemi Corporation]的LOGO252.88 Kbytes共5页APTGT150H170G的PDF下载地址APTGT30H170T3G,APTGT100H60T3G,APTGT35H120T3G,APTGT100H60TG,APTGT100H120G,APTGT100H170G,APTGT50H60T3G,APTGT50H120T3G,APTGT50H120TG,APTGT150H60TG
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APTGT150H170GMICRO-SEMI10+:¥1836.1950+:¥1370.44
100+:¥1349.381+:¥1464.12
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