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APTGT150DH170G /Microsemi Power Products Group/分立半导体产品
APTGT150DH170G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

数据列表:APTGT150DH170G Power Products Catalog

标准包装:1

类别:分立半导体产品

家庭:IGBT - 模块

系列:-

IGBT 类型:沟道和场截止

配置:非对称桥

电压 - 集射极击穿(最大值):1700V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):250A

功率 - 最大值:890W

不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.4V @ 15V,150A

电流 - 集电极截止(最大值):350µA

不同?Vce 时的输入电容(Cies):13.5nF @ 25V

输入:标准

NTC 热敏电阻:

安装类型:底座安装

封装/外壳:SP6

供应商器件封装:SP6

供应商APTGT150DH170G
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集好芯城APTGT150DH170G深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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深圳市辉华拓展电子有限公司APTGT150DH170G深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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APTGT150DH170GAsymmetrical - Bridge Trench Field Stop IGBT Power Module MICROSEMI[Microsemi Corporation]MICROSEMI[Microsemi Corporation]的LOGO251.22 Kbytes共5页APTGT150DH170G的PDF下载地址APTGT150DH60TG,APTGT150DH120G,APTGT50DH60TG,APTGT50DH120TG,APTGT50DH170TG,APTGT75DH60TG,APTGT75DH120TG,APTGT100DH60TG,APTGT100DH120TG,APTGT100DH170G
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