数据列表：APT40GP60(B,S)
标准包装：30
类别：分立半导体产品
家庭：IGBT - 单路
系列：POWER MOS 7®
包装：管件
IGBT 类型：PT
电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：100A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)：160A
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）：2.7V @ 15V，40A
功率 - 最大值：543W
开关能量：385µJ（开），352µJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：135nC
25°C 时 Td（开/关）值：20ns/64ns
测试条件：400V，40A，5 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）：-
封装/外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：D3 [S]