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APT38N60SC6 /
APT38N60SC6的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):600V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):38A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):112nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2826pF @ 25V

功率耗散(最大值):278W(Tc)

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):99 毫欧 @ 18A,10V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:D3Pak

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商APT38N60SC6
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深圳市安富世纪电子有限公司APT38N60SC6深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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APT38N60SC6C Super Junction MOSFET MICROSEMI[Microsemi Corporation]MICROSEMI[Microsemi Corporation]的LOGO168.48 Kbytes共5页APT38N60SC6的PDF下载地址
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APT38N60SC6Microsemi CorporationMOSFET N-CH 600V 38A D3PAK30 : $7.08833
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APT38N60SC6MicrosemiMOSFET Power MOSFET - CoolMOS1:¥65.088
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APT38N60SC6Microsemi CorporationPower MOSFET - CoolMOS D3 [S]
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