标准包装25
类别分离式半导体产品
家庭FET - 单
系列POWER MOS V®
FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)1200V(1.2kV)
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C20A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C600 毫欧 @ 10A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs650nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds9500pF @ 25V
功率 - 最大625W
安装类型通孔
封装/外壳TO-264-3,TO-264AA
供应商设备封装TO-264 [L]
包装管件