Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C：30A

Drain to Source Voltage (Vdss)：1200V (1.2kV)

FET Feature：Standard

FET Type：MOSFET N-Channel, Metal Oxide

Gate Charge (Qg) @ Vgs：275nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) @ Vds：7247pF @ 25V

Mounting Type：Through Hole

Package / Case：TO-264

Power - Max：893W

Rds On (Max) @ Id, Vgs：400 mOhm @ 15A, 10V

Supplier Device Package：264 MAX™ [L2]

Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 5mA

包装：3TO-264 MAX

通道模式：Enhancement

最大漏源电压：1200 V

最大连续漏极电流：30 A

RDS -于：400@10V mOhm

最大门源电压：±30 V

典型导通延迟时间：21 ns

典型上升时间：14 ns

典型关闭延迟时间：67 ns

典型下降时间：24 ns

工作温度：-55 to 150 °C

安装：Through Hole

标准包装：Rail / Tube