标准包装10

类别半导体模块

家庭FET

系列POWER MOS V®

FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 特点标准型

漏极至源极电压(Vdss)1200V（1.2kV）

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C26A

开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C400 毫欧 @ 500mA，10V

Id 时的 Vgs(th)（最大）4V @ 5mA

闸电荷(Qg) @ Vgs1200nC @ 10V

输入电容 (Ciss) @ Vds18000pF @ 25V

功率 - 最大700W

安装类型底座安装

封装/外壳SOT-227-4，miniBLOC

供应商设备封装ISOTOP?

包装管件