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APT11GP60BDQBG / INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 7 - COMBI
APT11GP60BDQBG的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

- 集电极电流(Ic)(最大):41A

IGBT Type:PT

Input Type:Standard

Mounting Type:Through Hole

Package / Case:TO-247-3

Power - Max:187W

Supplier Device Package:TO-247-3

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:2.7V @ 15V, 11A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):600V

供应商APT11GP60BDQBG
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深圳市安富世纪电子有限公司APT11GP60BDQBG深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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