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APT102GA60B2 /Microsemi Power Products Group/分立半导体产品
APT102GA60B2的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

数据列表:APT102GA60(B2,L)

标准包装:30

类别:分立半导体产品

家庭:IGBT - 单路

系列:POWER MOS 8??

包装:管件

IGBT 类型:PT

电压 - 集射极击穿(最大值):600V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):183A

脉冲电流 - 集电极 (Icm):307A

不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.5V @ 15V,62A

功率 - 最大值:780W

开关能量:1.354mJ(开), 1.614mJ(关)

输入类型:标准

栅极电荷:294nC

25°C 时 Td(开/关)值:28ns/212ns

测试条件:400V,62A,4.7 欧姆,15V

反向恢复时间(trr):-

封装/外壳:TO-247-3 变式

安装类型:通孔

供应商器件封装:*

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APT102GA60B2Microsemi CorporationINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 8 - SINGLE - Rail/Tube145 : $9.8458
499 : $9.336
999 : $9.1937
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APT102GA60B2American Microsemiconductor, Inc.IGBT - 单路 POWER MOS 8?? 分立半导体产品30+:¥95.1001
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APT102GA60B2Microchip TechnologyIGBT 600V 183A 780W TO247Obsolete
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APT102GA60B2Microsemi CorporationIGBT 600V 183A 780W TO24730 : $13.02033
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APT102GA60B2MICRO-SEMI30+:¥95.10011+:¥88.04
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APT102GA60B2Microsemi CorporationInsulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Single T-MAX [B2]
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