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APT106N60B2C6 /600 V 0.035 Ohm 308 nC Super Junction MOSFET-TO-247-3
APT106N60B2C6的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

系列:CoolMOS™

FET类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

电流-连续漏极(Id)(25°C时):106A(Tc)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):3.5V @ 3.4mA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):308nC @ 10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):8390pF @ 25V

Vgs(最大值):±20V

功率耗散(最大值):833W(Tc)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):35 毫欧 @ 53A,10V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-247-3 变式

封装形式Package:T-MAX

极性Polarity:N-CH

漏源极击穿电压VDSS:600V

连续漏极电流ID:106A

无铅情况/RoHs:

供应商APT106N60B2C6
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北京金州智业科技有限公司APT106N60B2C6www.bjjzzy.com13683302275
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”13725596657“17503034873
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APT106N60B2C6Microsemi CorporationAPT106N60B2C6 - Bulk价格未公开
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APT106N60B2C6Microchip TechnologyMOSFET N-CH 600V 106A T-MAX$12.94000
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APT106N60B2C6Microsemi CorporationMOSFET N-CH 600V 106A TO-247500 : $11.61016
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APT106N60B2C6American Microsemiconductor, Inc.FET - 单 CoolMOS?? 分立半导体产品1+:¥128.6901
10+:¥116.96
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