图像仅供参考,请参阅规格书
制造商:Microchip
产品种类:分立半导体模块
RoHS:是
产品:Power MOSFET Modules
类型:MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压:30 V
安装风格:Screw Mount
封装 / 箱体:SOT-227-4
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
封装:Tube
配置:Single
商标:Microchip / Microsemi
晶体管极性:N-Channel
下降时间:20 ns
Id-连续漏极电流:225 A
工作电源电压:0.5 V
Pd-功率耗散:700 W
产品类型:Discrete Semiconductor Modules
Rds On-漏源导通电阻:7 mOhms
上升时间:60 ns
工厂包装数量:1
子类别:Discrete Semiconductor Modules
典型关闭延迟时间:80 ns
典型接通延迟时间:25 ns
Vds-漏源极击穿电压:100 V
Vgs th-栅源极阈值电压:2 V
单位重量:30 g