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APT100GN120JDQ4 /IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi
APT100GN120JDQ4的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Microchip

产品种类:IGBT 模块

RoHS:

产品:IGBT Silicon Carbide Modules

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:1.2 kV

集电极—射极饱和电压:1.7 V

在25 C的连续集电极电流:153 A

栅极—射极漏泄电流:600 nA

Pd-功率耗散:446 W

封装 / 箱体:ISOTOP-4

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

封装:Tube

商标:Microchip / Microsemi

安装风格:SMD/SMT

栅极/发射极最大电压:30 V

产品类型:IGBT Modules

工厂包装数量:1

子类别:IGBTs

供应商APT100GN120JDQ4
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集好芯城APT100GN120JDQ4深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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APT100GN120JDQ4MICRO-SEMI10+:¥322.841+:¥269.76
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APT100GN120JDQ4Microsemi CorporationINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - FIELDSTOP LOW FREQ - COM - Rail/Tube499 : $32.7654
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APT100GN120JDQ4Microsemi CorporationIGBT 1200V 153A 446W SOT22710 : $44.203
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Mouser 贸泽电子
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APT100GN120JDQ4Microsemi CorporationInsulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi ISOTOP
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APT100GN120JDQ4Microsemi CorporationPOWER IGBT TRANSISTOR250 : $35.17