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APT10043JVR /分立半导体模块 Power MOSFET - MOS5
APT10043JVR的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Microchip

产品种类:分立半导体模块

RoHS:

产品:Power MOSFET Modules

类型:MOSFET

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

安装风格:Screw Mount

封装 / 箱体:SOT-227-4

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

封装:Tube

配置:Single

商标:Microchip / Microsemi

晶体管极性:N-Channel

下降时间:11 ns

Id-连续漏极电流:22 A

工作电源电压:0.5 V

Pd-功率耗散:500 W

产品类型:Discrete Semiconductor Modules

Rds On-漏源导通电阻:430 mOhms

上升时间:10 ns

工厂包装数量:1

子类别:Discrete Semiconductor Modules

典型关闭延迟时间:51 ns

典型接通延迟时间:14 ns

Vds-漏源极击穿电压:1000 V

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

单位重量:30 g

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APT10043JVRPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. ADPOW[Advanced Power Technology]ADPOW[Advanced Power Technology]的LOGO73.67 Kbytes共4页APT10043JVR的PDF下载地址APT10045JLL,APT10086BVFR,APT10M25BVR,APT20M22B2VFR,APT30M70BVFR,APT40M35JVR,APT5024BFLL,APT50M50JVFR,APT50M75JLLU2,APT6013B2LL
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