Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C：30A

Drain to Source Voltage (Vdss)：1000V (1kV)

FET Feature：Standard

FET Type：MOSFET N-Channel, Metal Oxide

Gate Charge (Qg) @ Vgs：267nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) @ Vds：7114pF @ 25V

Mounting Type：Chassis Mount

Package / Case：SOT-227-4, miniBLOC

Power - Max：595W

Rds On (Max) @ Id, Vgs：260 mOhm @ 15A, 10V

Supplier Device Package：ISOTOP®

Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 5mA

包装：4SOT-227

通道模式：Enhancement

最大漏源电压：1000 V

最大连续漏极电流：30 A

RDS -于：260@10V mOhm

最大门源电压：±30 V

典型导通延迟时间：17 ns

典型上升时间：8 ns

典型关闭延迟时间：39 ns

典型下降时间：9 ns

工作温度：-55 to 150 °C

安装：Screw

标准包装：Rail / Tube