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APT10035B2FLLG /Microsemi Power Products Group/分立半导体产品
APT10035B2FLLG的规格信息
APT10035B2FLLG的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

数据列表：APT10035(B2,L)FLL(G)

标准包装：30

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：POWER MOS 7®

包装：管件

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：1000V（1kV）

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：28A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：370 毫欧 @ 14A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 2.5mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：186nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：5185pF @ 25V

功率 - 最大值：690W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-247-3 变式

供应商器件封装：T-MAX? [B2]

供应商APT10035B2FLLG
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集好芯城APT10035B2FLLG深圳市福田区航都大厦25F0755-82564006
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