标准包装30
类别分离式半导体产品
家庭FET - 单
系列POWER MOS V®
FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)1000V（1kV）
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C11A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C1 欧姆 @ 500mA，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs225nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds3660pF @ 25V
功率 - 最大280W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA
供应商设备封装D3 [S]
包装管件