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AP4953GM /连续漏极电流(Id)(25°C 时):25A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:53mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:P沟道
AP4953GM的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)-30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)25A

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻53mΩ @ 5A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)2W

类型P沟道

供应商AP4953GM
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AP4953GMP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET A-POWER[Advanced Power Electronics Corp.]A-POWER[Advanced Power Electronics Corp.]的LOGO70.57 Kbytes共4页AP4953GM的PDF下载地址MSAEX8P50A,AP2603GY,AP2315GEN,AP4501SSD,AP4575GM,AP4959GM,AP9620M,WTC2303,AP2303GN,AP4407GM
AP4953GMP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET A-POWER[Advanced Power Electronics Corp.]A-POWER[Advanced Power Electronics Corp.]的LOGO207.36 Kbytes共5页AP4953GM的PDF下载地址GM2310,GC2301,GI9585,GJ3310,GSS4913,GTT2623,AP2311GN,AP4503GM,GL9575,GSC9620
AP4953GMDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO1055.39 Kbytes共9页AP4953GM的PDF下载地址
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AP4953GM-HFSimple Drive Requirement, Low Gate Charge A-POWER[Advanced Power Electronics Corp.]A-POWER[Advanced Power Electronics Corp.]的LOGO92.42 Kbytes共4页AP4953GM-HF的PDF下载地址
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AP4953GMAPEC(富鼎)连续漏极电流(Id)(25°C 时):25A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:53mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:P沟道1+:¥0.9464
10+:¥0.7165
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500+:¥0.6133
1000+:¥0.604
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AP4953GMVBsemi(台湾微碧)MOS(场效应管)5+:¥0.488506
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