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AP4953 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.9A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:60mΩ @ 4.9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:双P沟道
AP4953的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)4.9A

栅源极阈值电压2V @ 250uA

漏源导通电阻60mΩ @ 4.9A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)2W

类型双P沟道

供应商AP4953
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AP4953连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.9A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:60mΩ @ 4.9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:双P沟道ALLPOWER(铨力)ALLPOWER(铨力)的LOGO2.31 Mbytes共7页AP4953的PDF下载地址
AP4953DP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET A-POWER[Advanced Power Electronics Corp.]A-POWER[Advanced Power Electronics Corp.]的LOGO71.17 Kbytes共4页AP4953D的PDF下载地址MSAEX8P50A,AP2603GY,AP2315GEN,AP4501SSD,AP4575GM,AP4959GM,AP9620M,WTC2303,AP2303GN,AP4407GM
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AP4953的全球分销商及价格
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AP4953ALLPOWER(铨力)连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.9A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:60mΩ @ 4.9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:双P沟道10+:¥0.351781
100+:¥0.258986
300+:¥0.241942
1000+:¥0.224898
5000+:¥0.217323
10000+:¥0.21358
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AP4953GMAPEC(富鼎)连续漏极电流(Id)(25°C 时):25A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:53mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:P沟道1+:¥0.9464
10+:¥0.7165
30+:¥0.6743
100+:¥0.632
500+:¥0.6133
1000+:¥0.604
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AP4953GMVBsemi(台湾微碧)MOS(场效应管)5+:¥0.488506
50+:¥0.360971
150+:¥0.337546
500+:¥0.282709
2500+:¥0.273339
5000+:¥0.268709
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AP4953MVBsemi(台湾微碧)MOS(场效应管)1+:¥0.9381
10+:¥0.6932
30+:¥0.6482
100+:¥0.6032
500+:¥0.5833
1000+:¥0.5734