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AP4500GM-HF /连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A,5A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:30mΩ @ 6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道和P沟道
AP4500GM-HF的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)20V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)6A,5A

栅源极阈值电压1.2V @ 250uA

漏源导通电阻30mΩ @ 6A,4.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)2W

类型N沟道和P沟道

供应商AP4500GM-HF
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AP4500GM-HFAPEC(富鼎)连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A,5A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:30mΩ @ 6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道和P沟道1+:¥1.379
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