AP4435GM的供应商，AP4435GM规格参数，AP4435GM的PDF资料

AP4435GM /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：P沟道

AP4435GM的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）-30V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）9A

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻20mΩ @ 7A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）2.5W

类型P沟道

AP4435GM

AP4435GM的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	AP4435GM	深圳市福田区八卦三路八卦岭工业区424栋4楼410房	0755-82542579 19924492152	董先生	询价
深圳市芯幂科技有限公司	AP4435GM	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	AP4435GM	www.nowchip.com	0755-27381274 18098996457	董先生	询价
深圳市微碧半导体有限公司	AP4435GM-VB	深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋东5层502	0755-83204141 18118747668	许小姐	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	AP4435GM	深圳市福田区中航路都会轩2406	0755-82573210 18124040553	杨丹妮	询价
深圳市坤融电子有限公司	AP4435GM	航都大厦10I	0755-23990975 13926529829，17318082080	肖瑶，树平	询价
深圳市百域芯科技有限公司	AP4435GM	世纪汇都会轩4507	0755-82788062 18126442734	梁小姐	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	AP4435GM	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
深圳市百视威讯电子科技有限公司	AP4435GM	华强广场C座18J	0755-27381274 18098996457	董先生	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	AP4435GM	深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室	0755-83616256 / 83210909 13725570869	朱小姐	询价
深圳市星宇佳科技有限公司	AP4435GM	深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦510	0755-82717977-603 13332931905	谢先生	询价
深圳市骏凯诚科技有限公司	AP4435GM	深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋411室	0755-82731802 13652405995	朱小姐	询价
深圳市大源实业科技有限公司	AP4435GM	深圳市龙岗区坂田街道山海商业广场C座707	0755-84862070 15302619915，13762584085	李小姐	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	AP4435GM	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市星宇佳科技有限公司	AP4435GM	深圳市福田区华强北南光大厦510	0755-82522195 13332931905	小柯	询价
集好芯城	AP4435GM	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-82564006 18188616613	郑小姐	询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司	AP4435GM	深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F19	19854773352 19854773352	罗先生	询价
深圳诚思涵科技有限公司	AP4435GM	深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室	0755-23947236/83015506 15302723671/15820783671	曾小姐	询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司	AP4435GM-HF	华强北路新华强广场B座27D	0755-83238360 13603072128	陈	询价
深圳市宸远科技有限公司	AP4435GM	深圳市福田区华强北街道中航北苑B座9B4	0755-23481624 19068068798，15338712396	彭先生，许娜	询价

AP4435GM及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	PDF大小	PDF页数	相关型号
AP4435GM	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET	A-POWER[Advanced Power Electronics Corp.]	202.58 Kbytes	共5页	ZXMP62M832,G2307,G6402,GI9563,GM2301,GP4953,GSC4407,GSC6679,GSS4569,GT2625
AP4435GM	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]	1002.67 Kbytes	共9页	无
AP4435GM-HF	Simple Drive Requirement, Low On-resistance	A-POWER[Advanced Power Electronics Corp.]	208.18 Kbytes	共5页	无
AP4435GM-HF	P-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTER[SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.]	538.97 Kbytes	共4页	无
AP4435GM-HF_14	Simple Drive Requirement	A-POWER[Advanced Power Electronics Corp.]	208.18 Kbytes	共5页	无
AP4435GM-HF_16	Fast Switching Characteristic	A-POWER[Advanced Power Electronics Corp.]	103.34 Kbytes	共5页	无

AP4435GM的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Quest Components	AP4435GM	Advanced Power Components	30 V, 0.02 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET	13 : $1.05 3 : $1.68 1 : $2.1
立创商城	AP4435GM	APEC(富鼎)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：P沟道	1+:￥1.1496 10+:￥0.8846 30+:￥0.8359 100+:￥0.7872 500+:￥0.7656 1000+:￥0.7549
立创商城	AP4435GM	VBsemi(台湾微碧)	MOS(场效应管)	1+:￥1.2169 10+:￥0.8992 30+:￥0.8408 100+:￥0.7825 500+:￥0.7566 1000+:￥0.7437

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