FET 类型：P 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：1.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：6.2nC @ 4.5V
Vgs（最大值）：±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：540pF @ 10V
功率耗散（最大值）：630mW（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：135 毫欧 @ 1.2A，4.5V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：SC-70-3
封装/外壳：SC-70，SOT-323
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs