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AO6601_001 /
AO6601_001的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

FET 类型:N 和 P 沟道互补型

FET 功能:逻辑电平门

漏源电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.4A,2.3A

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):60 毫欧 @ 3.4A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):12nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):285pF @ 15V

功率 - 最大值:1.15W

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:SC-74,SOT-457

供应商器件封装:6-TSOP

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商AO6601_001
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