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AO6604_001 /MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP
AO6604_001的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

包装散装

系列-

零件状态有源

FET 类型N 和 P 沟道

FET 功能逻辑电平门

漏源电压(Vdss)20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)3.4A,2.5A

不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)60 毫欧 @ 3.4A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)3.8nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)320pF @ 10V

功率 - 最大值1.1W

工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型表面贴装型

封装/外壳SC-74,SOT-457

供应商器件封装6-TSOP

供应商AO6604_001
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