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AO6602L /Alpha & Omega Semiconductor Inc/分立半导体产品
AO6602L的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 阵列

系列:-

包装:带卷(TR)

FET 类型:N 和 P 沟道

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):-

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):75 毫欧 @ 3.1A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):8.5nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):240pF @ 15V

功率 - 最大值:1.15W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:SC-74,SOT-457

供应商器件封装:6-TSOP

其它名称:785-1077-2AO6602

供应商AO6602L
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AO6602LComplementary Enhancement Mode Field Effect Transistor AOSMD[Alpha & Omega Semiconductors]AOSMD[Alpha & Omega Semiconductors]的LOGO146.0 Kbytes共7页AO6602L的PDF下载地址AON4602,AO4609,AO6601,AO6603,AO6605,AOP600,AO4600,AO4621,AO6604,AOP601
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AO6602LALPHA&OMEGAFET - 阵列 - 分立半导体产品3000+:¥1.07
6000+:¥1
15000+:¥0.93
30000+:¥0.88
75000+:¥0.85
150000+:¥0.82011+:¥1.27
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AO6602LAOS连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.1A,2.7A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:75mΩ @ 3.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.15W 类型:N沟道和P沟道1+:¥0.989
10+:¥0.7491
30+:¥0.7051
100+:¥0.661
500+:¥0.6414
1000+:¥0.6317