935132724547-T1N
/基于硅的射频电容器/薄膜电容器 47nF 0402 -55/+200C HTSC High Temp
935132724547-T1N的规格信息
制造商:Murata
产品种类:基于硅的射频电容器/薄膜电容器
RoHS:是
系列:HTSC
电容:0.047 uF
容差:15 %
外壳代码 - in:0402
外壳代码 - mm:1005
工作温度范围:- 55 C to + 200 C
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 200 C
长度:1.2 mm
宽度:0.7 mm
高度:0.4 mm
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
产品:Silicon Capacitors
端接类型:SMD/SMT
商标:Murata / IPDiA
产品类型:Silicon RF Capacitors / Thin Film
工厂包装数量:100
子类别:Capacitors
温度系数/代码:1 %
零件号别名:935132724547
935132724547-T1N
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| 型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
| 935132724547-T1N | 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 47nF 0402 -55/+200C HTSC High Temp | Murata / IPDiA |  | 995.95 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
935132724547-T1N的全球分销商及价格
| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
Mouser 贸泽电子 | 935132724547-T1N | Murata / IPDiA | 硅电容器 47nF 0402 -55/+200C HTSC High Temp | 价格未公开 |