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935132425610-T3N /基于硅的射频电容器/薄膜电容器 100nF 0603 -55/+200C HTSC High Temp
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Murata

产品种类:基于硅的射频电容器/薄膜电容器

RoHS:

系列:HTSC

电容:0.1 uF

容差:15 %

外壳代码 - in:0603

外壳代码 - mm:1608

工作温度范围:- 55 C to + 200 C

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 200 C

长度:1.8 mm

宽度:1.1 mm

高度:0.4 mm

封装:Cut Tape

封装:Reel

击穿电压:11 V

产品:Silicon Capacitors

端接类型:SMD/SMT

类型:High Temperature Silicon Capacitor

商标:Murata / IPDiA

产品类型:Silicon RF Capacitors / Thin Film

工厂包装数量:1000

子类别:Capacitors

温度系数/代码:1 %

零件号别名:935132425610

单位重量:6.300 mg

供应商935132425610-T3N
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