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935132429733-T3N /基于硅的射频电容器/薄膜电容器 3.3uF 1812 -55/+200C HTSC High Temp

935132429733-T3N的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Murata

产品种类:基于硅的射频电容器/薄膜电容器

RoHS:是

系列:HTSC

电容:3.3 uF

容差:15 %

外壳代码 - in:1812

外壳代码 - mm:4532

工作温度范围:- 55 C to + 200 C

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 200 C

长度:4.66 mm

宽度:3.56 mm

高度:0.4 mm

封装:Reel

产品:Silicon Capacitors

端接类型:SMD/SMT

类型:1812 High Temperature Silicon Capacitor

商标:Murata / IPDiA

产品类型:Silicon RF Capacitors / Thin Film

工厂包装数量:1000

子类别:Capacitors

温度系数/代码:1 %

零件号别名:935132429733

单位重量:132.020 mg

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935132429733-T3N	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 3.3uF 1812 -55/+200C HTSC High Temp	Murata / IPDiA		984.65 Kbytes	共5页		无

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Mouser 贸泽电子	935132429733-T3N	Murata / IPDiA	硅电容器 3.3uF 1812 -55/+200C HTSC High Temp	价格未公开

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