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935131425610-T3N /基于硅的射频电容器/薄膜电容器 100nF 1206 BV:11Volt HSSC High Stability

935131425610-T3N的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Murata

产品种类:基于硅的射频电容器/薄膜电容器

RoHS:是

系列:HSSC

电容:0.1 uF

容差:15 %

外壳代码 - in:1206

外壳代码 - mm:3216

工作温度范围:- 55 C to + 150 C

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

长度:3.36 mm

宽度:1.76 mm

高度:0.4 mm

封装:Reel

产品:Silicon Capacitors

端接类型:SMD/SMT

类型:1206 High Stability Silicon Capacitor

商标:Murata / IPDiA

产品类型:Silicon RF Capacitors / Thin Film

工厂包装数量:1000

子类别:Capacitors

温度系数/代码:0.5 %

零件号别名:935131425610

单位重量:6.300 mg

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935131425610-T3N	基于硅的射频电容器/薄膜电容器 100nF 1206 BV:11Volt HSSC High Stability	Murata / IPDiA		977.83 Kbytes	共5页		无

935131425610-T3N的全球分销商及价格

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Mouser 贸泽电子	935131425610-T3N	Murata / IPDiA	硅电容器 100nF 1206 BV:11Volt HSSC High Stability	价格未公开

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