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93512442H622-T3A /基于硅的射频电容器/薄膜电容器 220nF 0505 BV:11Volt ETSC High Temp
93512442H622-T3A的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Murata

产品种类:基于硅的射频电容器/薄膜电容器

RoHS:

系列:ETSC

电容:0.22 uF

容差:15 %

外壳代码 - in:0505

外壳代码 - mm:1212

工作温度范围:- 55 C to + 200 C

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 200 C

长度:1.25 mm

宽度:1.25 mm

高度:0.25 mm

封装:Reel

产品:Silicon Capacitors

端接类型:SMD/SMT

类型:Embeded and Wirebound Temperature Silicon Capacitor

商标:Murata / IPDiA

产品类型:Silicon RF Capacitors / Thin Film

工厂包装数量:1000

子类别:Capacitors

温度系数/代码:1 %

零件号别名:935.124.42H.622 93512442H622

供应商93512442H622-T3A
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93512442H622-T3A基于硅的射频电容器/薄膜电容器 220nF 0505 BV:11Volt ETSC High TempMurata / IPDiAMurata / IPDiA的LOGO669.79 Kbytes共5页93512442H622-T3A的PDF下载地址
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