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93512442F610-T3A /基于硅的射频电容器/薄膜电容器 100nF 0404 BV:11Volt ETSC High Temp
93512442F610-T3A的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Murata

产品种类:基于硅的射频电容器/薄膜电容器

RoHS:

系列:ETSC

电容:0.1 uF

容差:15 %

外壳代码 - in:0404

外壳代码 - mm:1010

工作温度范围:- 55 C to + 200 C

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 200 C

长度:1 mm

宽度:1 mm

高度:0.25 mm

封装:Cut Tape

封装:Reel

产品:Silicon Capacitors

端接类型:SMD/SMT

类型:Embeded and Wirebound Temperature Silicon Capacitor

商标:Murata / IPDiA

产品类型:Silicon RF Capacitors / Thin Film

工厂包装数量:1000

子类别:Capacitors

温度系数/代码:1 %

零件号别名:93512442F610

供应商93512442F610-T3A
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93512442F610-T3AMurata / IPDiA硅电容器 100nF 0404 BV:11Volt ETSC High Temp价格未公开