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3N206 /N-CHANNEL POWER MOSFET
3N206的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

Series*

PackageBulk

FET Type-

Technology-

Drain to Source Voltage (Vdss)-

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C-

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)-

Rds On (Max) @ Id, Vgs-

Vgs(th) (Max) @ Id-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-

Vgs (Max)-

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds-

FET Feature-

Power Dissipation (Max)-

Operating Temperature-

Mounting Type-

Supplier Device Package-

Package / Case-

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深圳市宇浩扬科技有限公司3N206深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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3N206Silicon Dual Insulated-Gate Field-Effect Transistors GESS[GE Solid State]GESS[GE Solid State]的LOGO363.71 Kbytes共8页3N206的PDF下载地址BC264A,EMD4DXV6T1,EMF5XV6T5,EMG2DXV5T1,DTC114EM3T5G,2N6251,2SC1623,UMC3N,2SC2371,BDT64
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3N206Harris CorporationN-CHANNEL POWER MOSFET$12.80000
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