FET类型P 沟道
技术MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）50mA（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）20V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）5V @ 10µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）3.5pF @ 15V
Vgs（最大值）±30V
功率耗散（最大值）375mW（Ta）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）250 欧姆 @ 100µA，20V
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型通孔
封装/外壳TO-206AF，TO-72-4 金属罐
封装形式PackageTO-206AF-4
极性PolarityP-CH
漏源极击穿电压VDSS40V
连续漏极电流ID50mA
漏源极导通电阻RDS(ON)250Ohms
无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs