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3N163-2 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
3N163-2的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:20

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:-

包装:管件

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):40V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):50mA(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):250 欧姆 @ 100µA,20V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 10µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):-

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3.5pF @ 15V

功率 - 最大值:375mW

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-206AF,TO-72-4 金属罐

供应商器件封装:TO-72

供应商3N163-2
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