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3N200 /SILICON DUAL INSULATED-GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR
3N200的规格信息
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制造厂商:Absolute Semiconductor Product

描述:SEMI Date Code: 00

供应商3N200
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集好芯城3N200深圳市福田区航都大厦25F0755-82564006
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深圳市芯幂科技有限公司3N200深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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深圳市宇浩扬科技有限公司3N20000G33YC深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3N20000G33YC华强广场C座18J0755-27381274
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3N200SILICON DUAL INSULATED-GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR INTERSIL[Intersil Corporation]INTERSIL[Intersil Corporation]的LOGO383.22 Kbytes共6页3N200的PDF下载地址3N187,2N3954,IFN424,IF3602,3SK134B,2N3958,IFN146,3SK222,2N6989JAN,ZXTDBM832
3N200DUAL-GATE MOSFET NJSEMI[New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.]NJSEMI[New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.]的LOGO88.74 Kbytes共1页3N200的PDF下载地址
3N20000G33YC频率稳定度:±30ppm 工作电压:1.8V ~ 3.3V 工作电源电流(最大值):5mA 主频:20MHzSJK(晶科鑫)SJK(晶科鑫)的LOGO531.85 Kbytes共9页3N20000G33YC的PDF下载地址
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3N20000G33YCSJK(晶科鑫)频率稳定度:±30ppm 工作电压:1.8V ~ 3.3V 工作电源电流(最大值):5mA 主频:20MHz1+:¥3.96
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