数据列表：2SK3318 View all Specifications

标准包装：40

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：-

包装：散装

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：15A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：460 毫欧 @ 7.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：-

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：3500pF @ 20V

功率 - 最大值：100W

安装类型：通孔

封装/外壳：TOP-3F

供应商器件封装：TOP-3F-A1