包装：3DPAK(L)-(1)

通道模式：Enhancement

最大漏源电压：500 V

最大连续漏极电流：1.5 A

RDS -于：6000@10V mOhm

最大门源电压：±30 V

典型导通延迟时间：5 ns

典型上升时间：10 ns

典型关闭延迟时间：20 ns

工作温度：-55 to 150 °C

安装：Through Hole

标准包装：Rail / Tube

连续漏极电流：1.5 A

栅源电压（最大值）：�30 V

功率耗散：20 W

漏源导通电阻：6 ohm

工作温度范围：-55C to 150C

封装：Box

引脚数：3 +Tab

极性：N

类型：Power MOSFET

元件数：1

工作温度分类：Military

漏源导通电压：500 V

弧度硬化：No