数据列表：2SK1103 View all Specifications

标准包装：3,000

类别：分立半导体产品

家庭：JFET（结点场效应

系列：-

包装：带卷（TR）

FET 类型：N 沟道

电压 - 击穿（V（BR）GSS）：-

漏源极电压（Vdss）：-

不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）：600µA @ 10V

漏极电流（Id） - 最大值：20mA

不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：1.5V @ 10µA

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：7pF @ 10V

电阻 - RDS（开）：300 欧姆

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装：迷你型3-G1

功率 - 最大值：150mW

其它名称：2SK11030QLTR