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2SJ601-Z /连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:25mΩ @ 17A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:P沟道
2SJ601-Z的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)60V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)50A(Tc)

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻25mΩ @ 17A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)2.5W

类型P沟道

供应商2SJ601-Z
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2SJ601-ZVBsemi(台湾微碧)连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:25mΩ @ 17A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:P沟道1+:¥2.43
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