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2SJ598-Z-E1 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:61mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):4W 类型:P沟道
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)60V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)30A(Tc)

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻61mΩ @ 5A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)4W

类型P沟道

供应商2SJ598-Z-E1
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深圳市微碧半导体有限公司2SJ598-Z-E1-AZ-VB深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛 格科技园4栋东5层5020755-83204141
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深圳市芯幂科技有限公司2SJ598-Z-E1-AZ-VB深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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上海山峻电子有限公司2SJ598-Z-E1-AY上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
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2SJ598-Z-E1VBsemi(台湾微碧)连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:61mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):4W 类型:P沟道1+:¥1.6273
10+:¥1.2025
30+:¥1.1244
100+:¥1.0464
500+:¥1.0117
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