通道类型P

最大连续漏极电流4 A

最大漏源电压60 V

最大漏源电阻值630 m0hms

最大栅阈值电压2V

最大栅源电压-20 V、+20 V

封装类型SC-62

安装类型表面贴装

引脚数目4

晶体管配置单

通道模式增强

类别功率 MOSFET

最大功率耗散1 W

尺寸4.5 x 2.5 x 1.5mm

宽度2.5mm

最高工作温度+150 °C

晶体管材料Si

典型输入电容值@Vds220 pF@ -10 V

典型关断延迟时间45 ns

典型接通延迟时间10 ns

高度1.5mm

长度4.5mm

每片芯片元件数目1

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs