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2SJ526-E / Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Box
2SJ526-E的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

连续漏极电流:12 A

栅源电压(最大值):�20 V

功率耗散:25 W

安装:Through Hole

工作温度范围:-55C to 150C

包装类型:TO-220FM

封装:Box

引脚数:3 +Tab

极性:P

类型:Power MOSFET

元件数:1

工作温度分类:Military

通道模式:Enhancement

漏源导通电压:60 V

弧度硬化:No

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2SJ526-ESilicon P Channel MOS FET RENESAS[Renesas Technology Corp]RENESAS[Renesas Technology Corp]的LOGO90.97 Kbytes共8页2SJ526-E的PDF下载地址RJK6014DPP,HAT2160H,RJK6014DPK,HAT2165N,HAT2092R,2SJ549,2SK1167,2SK1328,2SK1519,2SK1669
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