图像仅供参考,请参阅规格书
连续漏极电流:30 A
栅源电压(最大值):�20 V
功率耗散:50 W
安装:Through Hole
工作温度范围:-55C to 150C
封装:Box
引脚数:3 +Tab
极性:P
类型:Power MOSFET
元件数:1
工作温度分类:Military
通道模式:Enhancement
漏源导通电压:30 V
弧度硬化:No