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2SJ485 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:61mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):4W 类型:P沟道
2SJ485的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)60V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)30A(Tc)

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻61mΩ @ 5A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)4W

类型P沟道

供应商2SJ485
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2SJ485VBsemi(台湾微碧)连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:61mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):4W 类型:P沟道1+:¥1.5507
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